на первый
заказ
Курсовая работа на тему: Основные свойства материалов. Применение полупроводникового GаР
Купить за 350 руб.Введение
Содержание работы.В данной курсовой работе разрабатывается технологический процесс получения легированного монокристалла ФГДЦЧ-5-17, на 20% компенсированного теллуром, с разбросом концентрации носителей заряда по длине слитка не более ±50%. Рассматривается процесс синтеза материала и условия легирования, режим роста монокристалла.
Исходные данные
Разработать технологический процесс, рассчитать условия легирования и режимы роста монокристалла ФГДЦЧ -5-17, на 20% компенсированного теллуром, длиной 400 мм, диаметром 50 мм с разбросом концентрации носителей заряда по длине слитка не более р/р = 50%.
Определить концентрацию и массу легирующей примеси, перераспределение остаточных примесей, если их концентрация в исходном материале составляет цинк 10-4 масс. %. Определить выход годного материала. Рассчитать изменение степени компенсации по длине кристалла.
Оглавление
- Введение- Основные свойства материалов
- Применение полупроводникового GaP
- Обзор современного состояния технологии производства полупроводниковых соединений
- Обоснование выбора метода выращивания GaP
- Описание метода Чохральского для выращивания фосфида галлия
- Расчетная часть
- Схема установки по выращиванию кристаллов методом Чохральского Выводы
- Список использованной литературы
Заключение
Мы разработали технологический процесс выращивания монокристаллического фосфида галлия марки ФГДЦЧ-5-17. Создание монокристалла состоит из двух этапов.Первый этап, это синтез раствора GаР в квазигерметичном реакторе при температуре 1750К. Реактор имеет длину 30см и поперечный диаметр 10-15 см. В реактор загружаются 3460 гр. галлия и 1678,54гр. красного фосфора. В результате синтеза получается 4997 гр. раствора фосфида галлия.
Список литературы
1. Производство полупроводниковых материалов. Нашельский А.Я.: Учебное пособие для подготовки рабочих. - Изд. 2-е, перераб. и доп. - М.: Металлургия, 1989.2. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф.: Учебник для вузов. - Изд. 3-е. - СПб.: Лань, 2003.
. Технология и автоматизация производства материалов и изделий электронной техники. Б.Л. Антипов, Н.А. Смирнова, Е.Л. Солодовникова, В.С. Сорокин: Учеб. Пособие - СПб.: СПбГЭТУ, 1992.
. Справочник по электротехническим материалам. Том 3. Корицкий Ю.В., Пасынков В.В., Тареев Б.М. - Изд. 3-е перераб. - Ленинград: Энергоатомиздат, 1988.
или зарегистрироваться
в сервисе
удобным
способом
вы получите ссылку
на скачивание
к нам за прошлый год